具有空气介质层之半导体光电元件及空气介质层之制作方法

摘要

一种在半导体光电元件中制作空气介质层的方法，其步骤包含：提供一基板；在基板上形成氮化镓薄膜；在氮化镓薄膜上形成牺牲层；牺牲层上形成含氮化合物半导体层；将具有牺牲层之半导体光电元件之半成品浸泡在酸性溶液中以移除部份之牺牲层而在氮化镓薄膜及含氮化合物半导体层之间残留之牺牲层与四周之空间形成一空气介质层。

主权项

一种在半导体光电元件中制作二维周期性孔洞的氮化镓薄膜悬浮于空气介质层的方法，系提供一基板，形成一氮化镓薄膜，形成一牺牲层，形成该氮化镓薄膜在该牺牲层上，以及蚀刻以形成该空气介质层，包括：提供一基板；形成一含氮化合物半导体层在该基板上，其中该含氮化合物半导体层的形成方法系使用金属有机气相沉积法(MOCVD)；形成一牺牲层在该氮化镓薄膜上，系使用分子束磊晶法，其中形成该牺牲层之温度范围为500℃至700℃；形成一氮化镓薄膜在该牺牲层上，其中该氮化镓薄膜的形成方法系使用金属有机气相沉积法(MOCVD)；使用一乾式蚀刻在该氮化镓薄膜上制作二维空气孔洞；以及进行湿式蚀刻以移除部份该牺牲层，至少包含；于该氮化镓薄膜上定义一微结构图案，系使用电子束微影(E-beam lithography)；蚀刻以移除部份该氮化镓薄膜以形成复数个微结构在该氮化镓薄膜内，系使用感应耦合式蚀刻法(ICP-RIE,inductively coupled plasma reactive ion etching)；以及湿式蚀刻以移除部份该牺牲层以形成该空气介质层在该氮化镓薄膜与该含氮化合物半导体层之间，使得残留之牺牲层与四周之空间构成之一空气介质层在该氮化镓薄膜及该含氮化合物半导体层之间。