发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
所揭示的系为高度可靠的半导体装置及其制造方法,其藉由使用具有令人满意的电特性和高度可靠性之电晶体作为交换元件来达成。该半导体装置包括驱动器电路部和像素部在一基板上,及该像素部包含透光底闸极电晶体。该透光底闸极电晶体包含:透明闸极电极层;氧化物半导体层,其在该闸极电极层上,该氧化物半导体层的表层包含奈米晶体的微晶群;以及源极和汲极电极层,其形成在该氧化物半导体层上,该源极和汲极电极层包含透光氧化物导电层。 |
申请公布号 |
TWI460860 |
申请公布日期 |
2014.11.11 |
申请号 |
TW099132828 |
申请日期 |
2010.09.28 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 日本 |
发明人 |
山崎舜平;坂田淳一郎;秋元健吾;野田耕生 |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;G02F1/1368 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
一种半导体装置,包含:包括第一电晶体之像素部和包括第二电晶体之驱动器电路部,该像素部和该驱动器电路部系设置在基板上,该第一电晶体和该第二电晶体各个包含:闸极电极层;闸极绝缘层,其在该闸极电极层上;氧化物半导体层,其在该闸极绝缘层上;源极电极层和汲极电极层,其在该氧化物半导体层上;以及氧化物绝缘层,其在该氧化物半导体层、该源极电极层、和该汲极电极层上,该氧化物绝缘层系与该氧化物半导体层接触,第一闸极配线,其由与该第一电晶体之该闸极电极层相同的层形成;第二闸极配线,其由与该第二电晶体之该闸极电极层相同的层形成;连接配线,其由与该第二电晶体之该源极电极层和该汲极电极层相同的层形成,并经由该第二闸极配线与第一闸极配线电连接,其中该第一电晶体的该闸极电极层、该源极电极层、和该汲极电极层包含氧化物导电层,以及其中该第二电晶体的该闸极电极层、该源极电极层、和该汲极电极层包含金属层。 |
地址 |
日本 |