Construction of the rear cover semiconductor laser mirror, in particular with the emission edge, and a method for producing coatings of the rear semiconductor laser mirror, in particular with the emission edge

摘要

Wynalazek ma zastosowanie do zabezpieczenia naturalnych przełomów heterostruktur materiału półprzewodnikowego, tworzących lustra lasera, a następnie uformowania oczekiwanego stosunku mocy optycznych emitowanych z obu luster, przedniego i tylnego. Konstrukcja pokrycia tylnego lustra lasera pólprzewodnikowego charakteryzuje się tym, że począwszy od powierzchni lustra półprzewodnikowego stanowi sekwencję sześciu warstw w kolejności: pierwsza warstwa adhezyjna, pierwsza warstwa izolacyjna, druga warstwa adhezyjna, warstwa metaliczna, trzecia warstwa adhezyjna i druga warstwa izolacyjna. Sposób wytwarzania tego pokrycia polega na tym, że po wcześniejszej pasywacji półprzewodnikowej powierzchni lustrzanej osadza się na niej w procesie próżniowym kolejne warstwy pokrycia wysokoodbiciowego metodą cieniową z zastosowaniem wystających ponad płaszczyznę pokrywanego lustra przekładek z materiału o współczynniku rozszerzalności cieplnej zbliżonym do współczynnika rozszerzalności cieplnej materiału laserującego, przy czym w pierwszym etapie osadza się kolejno pierwszą warstwę adhezyjna, pierwszą warstwę izolacyjną i drugą warstwę adhezyjna, pozycjonując uchwyt z linijkami laserowymi tak, że wiązki materiałów osadzanych padają prostopadle do pokrywanej powierzchni lustrzanej, zaś w drugim etapie, po uprzednim nachyleniu uchwytu z linijkami o kąt 0 równy 0-45° od normalnej do powierzchni lustrzanej, osadza się kolejno warstwę metaliczną, trzecią warstwę adhezyjna i drugą warstwę izolacyjną.