| 发明名称 | 一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置及工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置及工艺，属于多晶硅制备领域。一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置，所述装置包括炉体，炉体内部设有定向凝固块和置于定向凝固块之上的坩埚；所述定向凝固块下方处设有通气的底部管道(9)，底部管道的管口离定向凝固块的距离为2～5cm。本发明所述的装置节省了炉体热场成本、人力成本及熔化阶段的能原消耗，降低生产成本5％，能够节省半熔工艺的熔化、长晶及冷却时间约4h，节省时间成本5％。 | ||
| 申请公布号 | CN104131345A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201410342848.2 | 申请日期 | 2014.07.17 |
| 申请人 | 大连理工大学 | 发明人 | 姜大川;李佳艳;谭毅;李鹏廷;任世强 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人 | 赵淑梅;李馨 |
| 主权项 | 一种底部气冷的多晶硅半熔铸锭装置，其特征在于：所述装置包括炉体(2)，炉体(2)内部设有定向凝固块(7)和置于定向凝固块(7)之上的坩埚(6)；所述定向凝固块(7)下方中央处设有通气的底部管道(9)，底部管道(9)的管口离定向凝固块(7)的距离为2～5cm。 | ||
| 地址 | 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号 | ||