发明名称 一种IPMC 驱动器的选择性镀工艺
摘要 本发明公开了一种IPMC驱动器的选择性镀工艺,其特征在于,包括(1)基底材料的预处理:(2)根据驱动器的使用要求,在步骤(1)预处理后的离子交换膜上制作非施镀区隔离施镀区;非施镀区要求在后续工序中不被镀上电极,采取掩膜法实现,线宽较大时可直接用耐高温的电镀胶带覆盖使被阻隔处不能施镀;线宽较小时用电镀胶带制作相反的覆盖层暴露阻隔线,通过生成氯化银沉淀来隔离不同电极区域;(3)采用浸泡还原镀在施镀区上沉积电极层,制作铂、钯、银或铜金属电极;或者铂-钯复合电极、银-铜复合电极。
申请公布号 CN102953053B 申请公布日期 2014.11.05
申请号 CN201210452704.3 申请日期 2012.11.13
申请人 西安交通大学 发明人 陈花玲;朱子才;罗斌;王永泉;王延杰
分类号 C23C18/18(2006.01)I 主分类号 C23C18/18(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 朱海临
主权项 一种IPMC驱动器的选择性镀工艺,其特征在于,包括以下步骤:(1)基底材料的预处理:以离子交换膜作为基底材料,将该离子交换膜进行糙化后置于60℃的环境下超声清洗,去除表面颗粒,然后分别酸洗和去离子水煮洗;(2)根据驱动器的使用要求,在步骤(1)预处理后的离子交换膜上制作非施镀区隔离施镀区;非施镀区要求在后续工序中不被镀上电极,采取掩膜法实现,包括两种可选择方法:①直接用电镀胶带制作非施镀区的覆盖层,然后进行步骤(3)的浸泡还原镀;②预处理后的离子交换膜先在浓度为0.03mo/L的硝酸银溶液中浸泡1~2小时,然后用电镀胶带制作施镀区的覆盖层,裸露非施镀区,在浓度为0.1mol/L的HCl溶液中浸泡半小时,直到在非施镀区上反应生成稳定的不导电氯化银沉淀;揭下施镀区上的电镀胶带,然后进行步骤(3)的浸泡还原镀;(3)按照以下步骤在施镀区上沉积电极层,制作铂、钯、银或铜金属电极;或者铂‑钯复合电极、银‑铜复合电极:1)利用电极相应的金属盐制作盐溶液,将步骤(2)生成非施镀区掩膜的离子交换膜放入金属盐溶液中浸泡1~2小时进行离子交换,使电极金属离子进入离子膜;制备钯或铂电极使用氯化钯/铂、二氯二铵合钯/铂或二氯四铵合钯/铂盐制得盐溶液,制备银电极使用硝酸银溶液或银氨溶液;制备铜电极使用硫酸铜溶液;盐溶液浓度为0.005~0.1mol/L,用量根据施镀面积选用1~10mmol/cm<sup>2</sup>;2)将步骤1)金属盐溶液浸泡后的离子交换膜用去离子水处理干净后放入NaBH<sub>4</sub>溶液进行搅拌,使离子交换膜内金属离子在膜表面被还原形成电极;对于钯或铂电极,NaBH<sub>4</sub>溶液浓度为0.5~10mmol/L,对于银或铜电极,NaBH<sub>4</sub>浓度为2~20mmol/L;步骤(3)所述浸泡还原镀需重复1~2次。
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