| 发明名称 |
半导体装置及制造半导体装置之方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
根据一个实施例,一种半导体装置包括第一半导体部分和导电电极。第一半导体部分由SiC制成。SiC含有作为n型或p型杂质的第一元素。第一半导体部分具有第一界面部分。第一界面部分被配置成具有第一元素的最大区域密度。c导电电极电连接到第一界面部分。 |
| 申请公布号 |
TW201442252 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
| 申请号 |
TW102144635 |
申请日期 |
2013.12.05 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
清水达雄 |
| 分类号 |
H01L29/861(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>林志刚</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
