发明名称 |
蚀刻液、补充液及配线形成方法;ETCHING SOLUTION, REPLENISHING SOLUTION AND WIRING FORMING METHOD |
摘要 |
本发明系与能够抑制铜配线图案的侧蚀的铜之蚀刻液、其补充液以及配线形成方法有关者。铜之蚀刻液系由包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液所构成,前述非离子性界面活性剂的浊点为15~55℃。根据本发明之配线形成方法,藉着将上述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2),能够形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜配线图案(7)的积层配线图案(10)。 |
申请公布号 |
TW201441347 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
申请号 |
TW103107018 |
申请日期 |
2014.03.03 |
申请人 |
MEC股份有限公司 |
发明人 |
福井优;齐藤知志;石田辉和 |
分类号 |
C09K13/00(2006.01);C23F1/18(2006.01);C23F1/46(2006.01);C23F1/02(2006.01);H05K3/06(2006.01) |
主分类号 |
C09K13/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>庄志强</name> |
主权项 |
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地址 |
日本 |