发明名称 蚀刻液、补充液及配线形成方法;ETCHING SOLUTION, REPLENISHING SOLUTION AND WIRING FORMING METHOD
摘要 本发明系与能够抑制铜配线图案的侧蚀的铜之蚀刻液、其补充液以及配线形成方法有关者。铜之蚀刻液系由包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液所构成,前述非离子性界面活性剂的浊点为15~55℃。根据本发明之配线形成方法,藉着将上述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2),能够形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜配线图案(7)的积层配线图案(10)。
申请公布号 TW201441347 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW103107018 申请日期 2014.03.03
申请人 MEC股份有限公司 发明人 福井优;齐藤知志;石田辉和
分类号 C09K13/00(2006.01);C23F1/18(2006.01);C23F1/46(2006.01);C23F1/02(2006.01);H05K3/06(2006.01) 主分类号 C09K13/00(2006.01)
代理机构 代理人 <name>庄志强</name>
主权项
地址 日本