发明名称 |
钨烧结体溅镀靶 |
摘要 |
一种钨烧结体溅镀靶,其特征在于:磷含量为1wtppm以下,剩余部分系其他不可避免之杂质与钨。因磷含量对钨之异常粒成长与靶之强度的下降有较大影响,尤其是当所含之磷超过1ppm时,钨靶上存在异常粒成长之晶粒,故而,本发明之课题在于,将钨内所含之磷强烈视作有害之杂质、且控制其含量使其尽量少,从而防止钨之异常粒成长与提高靶之产品产率。 |
申请公布号 |
TWI458845 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
申请号 |
TW098113136 |
申请日期 |
2009.04.21 |
申请人 |
JX日鑛日石金属股份有限公司 日本 |
发明人 |
铃木了;小田国博 |
分类号 |
C23C14/34;C22C27/04;B22F3/15 |
主分类号 |
C23C14/34 |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种钨烧结体溅镀靶,其磷含量为1wtppm以下,剩余部分系其他不可避免之杂质与钨,于超过自表层至1mm之范围,不具有粒径超过500μm之异常成长粒子。 |
地址 |
日本 |