| 摘要 |
本発明の一実施例によれば，半導体製造設備は，基板に対する洗浄プロセスが行われる洗浄チャンバと，前記基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルプロセスが行われるエピタキシャルチャンバと，前記洗浄チャンバ及び前記エピタキシャルチャンバが側面に連結され，前記洗浄プロセスが行われた前記基板を前記エピタキシャルチャンバに移送する基板ハンドラを備える移送チャンバとを備え，前記洗浄チャンバは，前記移送チャンバの側面に連結され，前記基板に対する反応プロセスが行われる反応チャンバと，前記移送チャンバの側面に連結され，前記基板に対する加熱プロセスが行われるヒーティングチャンバとを備え，前記反応チャンバと前記ヒーティングチャンバとは，上下に積載されることを特徴とする。【選択図】図１ |
