半导体器件缺陷的光学检测方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件缺陷的光学检测方法，根据二维图形中器件的电路特征，对器件结构进行准确分类，并确定每个器件结构的位置信息，随后利用这些信息，在缺陷检测过程中对应到检测区域，以快速、准确获得检测区域内不同器件结构缺陷类型的数量及每个缺陷的具体位置，以便于对器件失效及其形成原因进行判断和准确分析。

主权项

一种半导体器件缺陷的光学检测方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供具有至少一种器件的待检测晶圆，通过电子显微镜，获得具有该晶圆中每种器件需检测区域轮廓的二维轮廓图形；步骤S02，在该二维图形上分别标定该器件需检测区域的器件种类及位置信息；步骤S03，通过光学缺陷检测设备，根据该二维轮廓图形上的器件种类及位置信息，获得具有该晶圆中每种器件需检测区域的光学二维灰阶图形，该光学二维灰阶图形显示不同灰阶图以表示该晶圆中不同器件需检测区域，即使得该光学二维灰阶图形上每种灰阶图与该器件的位置相对应；步骤S04，判断该光学二维灰阶图形中的每个灰阶图中是否存在色斑，若存在，则记为缺陷，并获得该缺陷所属的器件类型；步骤S05，计算得到每种器件的缺陷总量。