用于LED芯片中的衬底制造工艺

摘要

本发明公开一种用于LED芯片中的衬底制造工艺，选取多孔氧化铝膜板；将多孔氧化铝膜板表面进行灌涂一光刻胶层，此多孔氧化铝膜板表面的微孔内填覆有光刻胶，且此多孔氧化铝膜板表面覆盖光刻胶；通过一压板将光刻胶层压平后固化处理；根据所述多孔氧化铝膜板的落差值将位于所述多孔氧化铝膜上方的光刻胶分为若干分段，并将此光刻胶由表面往下去除一分段厚度的光刻胶；将多孔氧化铝膜板进行一分段化学机械研磨；依次完成所述若干分段中各个分段，从而获得修正后多孔氧化铝膜板。本发明衬底制造工艺利用现有多孔纳米氧化铝板，作为LED的蓝宝石衬底压印模板，采用光刻胶和研磨结合实现了将表面峰谷之间的落差值分为若干分段研磨，有效保护了多孔纳米氧化铝板表面微孔形态。

主权项

一种用于LED芯片中的衬底制造工艺，所述LED芯片包括蓝宝石衬底（1）、由P型氮化镓层（2）和N型氮化镓层（3）组成的发光PN结（4）、分别连接P型氮化镓层（2）和N型氮化镓层（3）的两个引出电极（5），所述蓝宝石衬底（1）与发光PN结（4）接触的表面内具有若干个通孔（10）；其特征在于：所述蓝宝石衬底（1）的若干个通孔（10）通过以下工艺步骤获得：步骤一、选取多孔氧化铝膜板（6），此多孔氧化铝膜板（6）表面具有大量的微孔（7），所述多孔氧化铝膜板（6）表面具有粗糙度；步骤二、将步骤一所述多孔氧化铝膜板（6）表面进行灌涂一光刻胶层（8），此多孔氧化铝膜板（6）表面的微孔内填覆有光刻胶，且此多孔氧化铝膜板（6）表面覆盖光刻胶，位于所述多孔氧化铝膜（6）上方的光刻胶厚度大于所述多孔氧化铝膜板（6）表面峰谷之间的落差值；步骤三、通过一第一压板将步骤二的所述光刻胶层压平后，进行固化处理；步骤四、根据所述多孔氧化铝膜板（6）的落差值将位于所述多孔氧化铝膜板（6）上方的光刻胶分为若干分段，并将此光刻胶由表面往下去除一分段厚度的光刻胶；步骤五、将步骤四的所述多孔氧化铝膜板（6）进行一分段化学机械研磨；步骤六、重复步骤四、步骤五依次完成所述若干分段中各个分段，从而获得修正后多孔氧化铝膜板；步骤七、将所述修正后多孔氧化铝膜板中微孔内去除特征厚度的光刻胶或者将所述修正后多孔氧化铝膜板中去除特征厚度的氧化铝，获得第二压板，所述步骤七中特征厚度为50~200nm；步骤八、将所述蓝宝石衬底（1）涂覆一光刻胶层，将第二压板（9）的表面图形转移到所述蓝宝石衬底（1）表面的光刻胶层上并固化；步骤九、刻蚀步骤八的所述蓝宝石衬底（1）从而在此蓝宝石衬底上形成所述若干个通孔。