发明名称 一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法
摘要 本发明公开了一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法。该基板包括:有多孔氧化铝介质的铝合金基板;位于铝合金基板第一表面的第一布线层;埋置于铝合金基板中的第二布线层;位于铝合金基板第二表面的第三布线层;以及贯穿铝合金基板第一表面及第二表面的铝全通柱和/或未贯穿铝合基板的铝半通柱。该基板制造方法包括以下步骤:对铝合金基板进行预处理、第一步光刻涂胶;第一步光刻;致密型阳极氧化、第一次去胶;第二步光刻涂胶、第二步光刻;穿透型阳极氧化、第二次去胶。本发明提供的基于铝阳极氧化技术的基板及其制作方法,制作流程简洁,基板热导率高,热膨胀系数可调,提高了三维封装的可靠性。
申请公布号 CN104125710A 申请公布日期 2014.10.29
申请号 CN201410394186.3 申请日期 2014.08.12
申请人 上海航天电子通讯设备研究所 发明人 刘凯;王盈莹;王立春
分类号 H05K1/02(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I;H05K7/20(2006.01)I 主分类号 H05K1/02(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 胡晶
主权项 一种基于铝阳极氧化技术的基板,其特征在于,包括:铝合金基板,其含有多孔氧化铝介质,所述铝合金基板具有两相对的第一表面及第二表面;第一层布线,位于所述铝合金基板的第一表面上;第二层布线,埋置于所述铝合金基板中;第三层布线,位于所述铝合金基板的第二表面上;以及铝全通柱和/或铝半通柱,其中所述铝全通柱贯穿所述铝合金基板的第一表面及第二表面,所述铝半通柱未贯穿所述铝合金基板。
地址 200082 上海市杨浦区齐齐哈尔路76号