发明名称 |
具有波导转换元件的集成电路模块 |
摘要 |
本发明公开了具有波导转换元件的集成电路模块。集成电路模块包括:封装模制化合物层;射频(RF)集成电路,嵌入在封装模制化合物层内,并且具有RF端口;波导转换结构,嵌入在封装模制化合物层;以及重分布层。波导转换结构包括传输线接口部分、被配置用于耦接到矩形波导外壳的波导接口部分以及被配置为提供在传输线接口部分与波导接口部分之间的模式转换的变换器部分。重分布层包括至少一个绝缘层和至少一个金属化层,跨过封装模制化合物层的表面在RF集成电路与波导转换结构之间延伸。第一重分布层包括RF传输线,其被导通地连接在RF集成电路的RF端口与波导转换结构的传输线接口部分之间。 |
申请公布号 |
CN104124211A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201410176248.3 |
申请日期 |
2014.04.29 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
W.哈特纳;E.泽勒;M.沃杰诺夫斯基 |
分类号 |
H01L23/053(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/053(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张涛;胡莉莉 |
主权项 |
一种集成电路模块,包括:封装模制化合物层,包括封装模制化合物并且具有相对的第一表面和第二表面;射频(RF)集成电路,嵌入在封装模制化合物中并且包括RF端口;波导转换结构,嵌入在所述封装模制化合物中,并且包括传输线接口部分、被配置成用于耦接到矩形波导外壳的波导接口部分、以及被配置为提供在所述传输线接口部分与所述波导接口部分之间的传播模式转换的变换器部分;以及第一重分布层,包括至少一个绝缘层和至少一个金属化层,并且跨过所述封装模制化合物层的所述第一表面在所述RF集成电路与所述波导转换结构之间延伸,所述第一重分布层进一步包括在所述RF集成电路的RF端口与所述波导转换结构的所述传输线接口部分之间导通地连接的RF传输线。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |