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Elektronikbauelement (300), umfassend: mindestens einen Halbleiterchip (102), wobei jeder Halbleiterchip (102) eine erste Hauptfläche mit einem ersten Kontaktelement und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche mit einem zweiten Kontaktelement definiert; eine erste Metallschicht (101), die an das erste Kontaktelement der ersten Hauptfläche des mindestens einen Halbleiterchips (102) gekoppelt ist; eine zweite Metallschicht (104), die an das zweite Kontaktelement der zweiten Hauptfläche des mindestens einen Halbleiterchips (102) gekoppelt ist; eine dritte Metallschicht (202), die über der ersten Metallschicht (101) liegt; eine zweite Isolierschicht (201) zwischen der ersten Metallschicht (101) und der dritten Metallschicht (202); eine vierte Metallschicht (204), die über der zweiten Metallschicht (104) liegt; eine dritte Isolierschicht (203) zwischen der zweiten Metallschicht (104) und der vierten Metallschicht (204); ein erstes globales Via (301), das sich von der dritten Metallschicht (202) zu der vierten Metallschicht (204) erstreckt, wobei das erste globale Via (301) elektrisch mit der ersten Metallschicht (101) verbunden ist und elektrisch von der zweiten Metallschicht (104) getrennt ist; und ein zweites globales Via (302), das sich von der dritten Metallschicht (202) zu der vierten Metallschicht (204) erstreckt, wobei das zweite globale Via (302) elektrisch mit der zweiten Metallschicht (104) verbunden ist und elektrisch von der ersten Metallschicht (101) getrennt ist. |
