发明名称 |
TFT-LCD、驱动器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种TFT-LCD、驱动器件及其制造方法,其中驱动器件包括:形成在阵列基板上至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的负载大于第二薄膜晶体管的负载,所述第一薄膜晶体管具有顶栅结构,所述第二薄膜晶体管具有底栅结构。本发明提供的TFT-LCD及其驱动器件中,第一薄膜晶体管设置成了顶栅结构,第一薄膜晶体管的非晶硅层接受背光源的照射,光照可以提高薄膜晶体管的开启电流,这样在相同的开启电流要求下所述第一薄膜晶体管的宽长比可以减小。因此本发明提供的驱动器件实现了既能减小尺寸又能保证驱动能力的目的。 |
申请公布号 |
CN102466937B |
申请公布日期 |
2014.10.22 |
申请号 |
CN201010532032.8 |
申请日期 |
2010.10.29 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
曹昆;胡明 |
分类号 |
G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1368(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种TFT‑LCD驱动器件,其特征在于,包括形成在阵列基板上至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的负载大于第二薄膜晶体管的负载,所述第一薄膜晶体管具有顶栅结构,所述第二薄膜晶体管具有底栅结构;所述第一薄膜晶体管包括:源极和漏极,形成在基板上;第一掺杂非晶硅层,形成在所述源极和漏极上;非晶硅层,形成在所述第一掺杂非晶硅层以及第一薄膜晶体管的沟道对应的区域上,所述非晶硅层在所述沟道对应的区域上直接形成在所述基板上,所述非晶硅层用于接收背光源的照射;第二绝缘层,形成在所述非晶硅层上;栅极,形成在所述第二绝缘层上。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |