一种MOS器件的制造方法

摘要

本发明提供一种MOS器件的制造方法，包括步骤：1）于半导体衬底上形成输入输出器件及核心器件的栅氧层、多晶硅假栅、SiN侧壁、浅掺杂漏、SiO₂侧墙、应力SiN侧墙、源极、漏极以及SiO₂介质层；2）去除部分的应力SiN侧墙及SiO₂侧墙形成凹陷结构；3）采用化学气相沉积法形成至少填满所述凹陷结构的低蚀刻率SiN保护层；4）去除所述输入输出器件及核心器件的多晶硅假栅；5）于所述输入输出器件表面形成光刻胶，去除所述核心器件的栅氧层。本发明先腐蚀去除部分的应力SiN侧墙，然后采用化学气相沉积法沉积一层低蚀刻率的SiN以保护应力SiN侧墙不被后续工艺腐蚀，避免了后续的高k栅介质和金属在侧墙中的残留，提高MOS器件的稳定性和电学性能。

主权项

一种MOS器件的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）于半导体衬底上形成输入输出器件及核心器件的栅氧层、多晶硅假栅、SiN侧壁、浅掺杂漏、SiO₂侧墙、应力SiN侧墙、源极、漏极以及SiO₂介质层；2）去除部分的应力SiN侧墙及SiO₂侧墙形成凹陷结构；3）采用化学气相沉积法形成至少填满所述凹陷结构的低蚀刻率SiN保护层；4）去除所述输入输出器件及核心器件的多晶硅假栅；5）于所述输入输出器件表面形成光刻胶，去除所述核心器件的栅氧层。