| 发明名称 | 制造碳化硅衬底的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造碳化硅衬底(10)的方法，具有如下步骤。制备具有第一主表面(1a)以及与第一主表面(1a)相反的第二主表面(1b)的碳化硅单晶衬底(1)。对第一主表面(1a)进行化学机械抛光。利用含硫酸的酸来清洁第一主表面(1a)。在利用含硫酸的酸的清洁步骤之后，利用含氨的碱对第一主表面(1a)进行清洁。因此能够提供能实现外延层的降低的表面粗糙度的制造碳化硅衬底的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104112652A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201410162822.X | 申请日期 | 2014.04.22 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 冲田恭子 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：制备具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面的碳化硅单晶衬底；对所述第一主表面进行化学机械抛光；利用含硫酸的酸来清洁所述第一主表面；以及在所述利用含硫酸的酸的清洁步骤之后，利用含氨的碱来清洁所述第一主表面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||