发明名称 半导体装置
摘要 提供一种半导体装置,其中示出在具有绝缘表面的基板上其间夹着层间绝缘层层叠多个场效应电晶体。多个场效应电晶体分别具有半导体层,该半导体层是藉由从半导体基板剥离半导体层之后在基板上接合该半导体层的步骤制造的。多个场效应电晶体分别由提供半导体层的应变的绝缘膜覆盖。再者,将半导体层的与其晶面平行的晶轴设定为半导体层的通道长度方向,由此可以制造具有SOI结构的高性能化且及低耗电化的半导体装置。
申请公布号 TWI458076 申请公布日期 2014.10.21
申请号 TW097135874 申请日期 2008.09.18
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 山崎舜平;矶部敦生;乡户宏充;冈崎丰
分类号 H01L27/02;H01L27/12 主分类号 H01L27/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包括:第一场效应电晶体;形成在该第一场效应电晶体上的层间绝缘层;形成在该层间绝缘层上的第二场效应电晶体;以及导电层,其中,接触孔形成于该层间绝缘层及该第二场效电晶体中,其中,该导电层形成于该接触孔中,并且其中,该第一场效电晶体由该导电层电连接至该第二场效电晶体。
地址 日本