| 摘要 |
<p>ＬＥＤ用のＧａＮを製造する際に使用されるシリコンウェーハは、シリコン基板、窒化ホウ素アルミニウム（ＢｘＡｌ１−ｘＮ）のバッファ層、及びＧａＮの上層を含み、０．３５≰ｘ≰０．４５である。ＢＡｌＮは、Ｓｉ（１１１）表面上に、シリコンのセル単位長の約３分の２のセル単位長を有する、ウルツ鉱型結晶を形成する。ＢＡｌＮのＣ面は、２個のアルミニウムの原子に対して、約１個のホウ素の原子を有する。ウェーハ全体にわたって、ＢＡｌＮの窒素原子のみが、実質的にＳｉ（１１１）表面に対する結合を形成し、ＢＡｌＮの原子の最下面内には、ＢＡｌＮのアルミニウム原子又はホウ素原子は実質的に存在しない。ＢＡｌＮバッファ層の作製方法は、チャンバを流れる水素の０．０１体積％未満に等しい、第１の量のアンモニアをプリフローする工程の後に、トリメチルアルミニウム及びトリエチルホウ素を、次いで第２の量のアンモニアを、チャンバに流す工程を含む。</p> |
