发明名称 一种磁控溅射装置
摘要 本发明实施例提供一种磁控溅射装置,涉及真空镀膜领域,可改善腔体内部的等离子体分布状态,提高镀膜均匀性。所述磁控溅射装置包括腔体、设置在所述腔体内的基板、靶材;还包括位于所述基板与所述靶材之间的屏蔽罩;所述屏蔽罩包括屏蔽罩支架与悬浮电位板;其中,所述屏蔽罩支架具有第一镂空区域;所述悬浮电位板具有第二镂空区域;所述悬浮电位板位于所述第一镂空区域内,且所述悬浮电位板与所述屏蔽罩支架相互绝缘。用于改善腔体内部的等离子体分布状态,提高镀膜均匀性的磁控溅射装置的制备。
申请公布号 CN104099575A 申请公布日期 2014.10.15
申请号 CN201410332106.1 申请日期 2014.07.11
申请人 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 发明人 马海船;辛旭;陈晓斌;刘鹏
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种磁控溅射装置,包括腔体、设置在所述腔体内的基板、靶材;其特征在于,还包括位于所述基板与所述靶材之间的屏蔽罩;所述屏蔽罩包括屏蔽罩支架与悬浮电位板;其中,所述屏蔽罩支架具有第一镂空区域;所述悬浮电位板具有第二镂空区域;所述悬浮电位板位于所述第一镂空区域内,且所述悬浮电位板与所述屏蔽罩支架相互绝缘。
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