穿矽通孔及其制作方法

摘要

一种穿矽通孔结构，包含有一半导体基材；一第一金属层间介电层，设于该半导体基材上；一上盖层，覆盖该第一金属层间介电层；一导电层，贯穿该上盖层及该第一金属层间介电层，延伸至该半导体基材内；一钨金属膜，盖住该导电层之一上表面；一第二金属层间介电层，覆盖该上盖层以及该钨金属膜；以及一内连件，设于该第二金属层间介电层中。

主权项

一种穿矽通孔结构，包含有：一半导体基材；一第一金属层间介电层，设于该半导体基材上；一钨插塞，埋设在该第一金属层间介电层中；一上盖层，覆盖该第一金属层间介电层且覆盖该钨插塞；一穿矽通孔(TSV)包含：一导电层，贯穿该上盖层及该第一金属层间介电层，延伸至该半导体基材内，其中该上盖层的一上表面系高于该导电层的一上表面，且该钨金属膜，系完全地盖住该导电层之该上表面；一第二金属层间介电层，覆盖该上盖层以及该钨金属膜；一第一内连件，贯穿该第二金属层间介电层且电连接该穿矽通孔；以及一第二内连件，贯穿该第二金属层间介电层及上盖层且电连接该钨插塞。