Hochleistungs-Multifinger- PFET mit verspanntem Siliciumgermanium-Kanal und Herstellungsverfahren

摘要

Es werden ein Feldeffekttransistor und ein Herstellungsverfahren bereitgestellt. Der Feldeffekttransistor weist eine Vielzahl von länglichen uniaxial verspannten SiGe-Zonen auf, die auf einem Siliciumsubstrat angeordnet sind und so ausgerichtet sind, dass sie parallel zur Fließrichtung elektrischer Ladungsträger in dem Kanal verlaufen. Die länglichen uniaxial verspannten SiGe-Zonen sind senkrecht zu dem Transistor-Gate ausgerichtet und queren dieses.