一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管制备方法

摘要

一种一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管的制备方法，包括硅基片的表面处理、有机半导体薄膜的形成和电极的配置，其特征在于：所述的有机半导体薄膜的形成是将有机半导体材料Tips-并五苯和高分子聚合物按4∶1-1∶1的质量比混合溶解于有机溶剂中配成质量百分浓度0.5-5％的有机溶液，该有机溶液通过滴膜静置法均匀滴至已表面处理过并预留有金电极且呈15-30°倾角置放的硅基片上，脱溶干燥后得到图案化的并有自修饰界面的有机半导体薄膜。本方法一步实现去润湿图案化，并通过相分离生成自修饰界面层，从而提高载流子迁移率，也就是提高了有机薄膜晶体管的电学性能。

主权项

一种一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管的制备方法，包括硅基片的表面处理、有机半导体薄膜的形成和电极的配置，其特征在于：所述的有机半导体薄膜的形成是将Tips‑并五苯与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA按50％/50％的比率溶解在40℃的二氯苯中，过夜充分溶解、静置、过滤，制成2％的溶液，然后用初速度600rpm,6s，恒定速度4000rpm,210s在硅片上制备薄膜，然后置于真空中过夜干燥；在溶剂挥发过程中实现相分离，得到上层为Tips‑并五苯、下层为PMMA薄膜。