主权项 |
一种半导体装置(100),包括:衬底(101);在衬底(101)上方的聚合物电介质(103);以及形成在该聚合物电介质(103)内的至少一个有源装置(104),其包括有机半导体材料(112)与无源层(114);其中,该聚合物电介质(103)的材料的选择是基于该聚合物电介质(103)的热膨胀系数是否实质吻合该有机半导体材料(112)与该无源层(114)的热膨胀系数,该聚合物电介质(103)包括选自下列所组成的群组中的至少之一:氢聚倍半硅氧烷,甲基聚倍半硅氧烷,丁基聚倍半硅氧烷,苯基聚倍半硅氧烷,聚亚苯基,聚硅氮烷,聚苯基喹喔啉,2,2‑双三氟甲基‑4,5‑二氟‑1,3‑二氧杂环戊烯的共聚物,全氟烷氧基树脂,氟化的乙烯丙烯,氟甲基丙烯酸酯,聚(芳基醚),氟化的聚(芳基醚),氟化的派瑞林,聚(对二甲苯),氟化的聚(对二甲苯),派瑞林F、派瑞林N,派瑞林C,派瑞林D,非晶的聚四氟乙烯,聚喹啉,聚苯基喹喔啉,以及该有机半导体材料(112)包括选自下列所组成的群组中的至少之一:聚(叔丁基)二苯基乙炔;聚(三氟甲基)二苯基乙炔;聚双(三氟甲基)乙炔;聚双(叔丁基联苯基)乙炔;聚(三甲基硅烷基)苯基乙炔;聚(咔唑)二苯基乙炔;聚二乙炔;聚苯基乙炔;聚嘧啶乙炔;聚甲氧基苯基乙炔;聚甲基苯基乙炔;聚(叔丁基)苯基乙炔;聚硝基‑苯基乙炔;聚(三氟甲基)苯基乙炔;聚(三甲基硅烷基)苯基乙炔;聚二吡咯基甲烷;聚吲哚醌;聚二羟基吲哚;聚三羟基吲哚;呋喃‑聚二羟基吲哚;聚吲哚醌‑2‑羧基;聚吲哚醌;聚苯并双噻唑;聚(对苯硫醚);聚硅烷;聚呋喃;聚吲哚;聚薁;聚亚苯基;聚嘧啶;聚联嘧啶;聚六噻吩;聚(硅酮半紫菜嗪);聚(锗酮半紫菜嗪);聚(伸乙二氧基噻吩)以及聚嘧啶金属络合物。 |