| 发明名称 | 一种离子注入设备用电极和离子注入设备 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供一种离子注入设备用电极和离子注入设备，涉及半导体技术领域，可增大电极的开口率，增加离子束的密度，从而提高离子注入的效率。所述离子注入设备用电极包括本体部分和透过部分；所述透过部分包括紧密规则排布的多个透过孔，且所述透过孔的形状包括圆形或者正多边形；其中，所述正多边形的边数至少为四条。用于离子注入设备的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN104091746A | 申请公布日期 | 2014.10.08 |
| 申请号 | CN201410307986.7 | 申请日期 | 2014.06.30 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 发明人 | 王志强;康峰;杨波;徐敬义 |
| 分类号 | H01J37/317(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种离子注入设备用电极，其特征在于，所述电极包括本体部分和透过部分；所述透过部分包括紧密规则排布的多个透过孔，且所述透过孔的形状包括圆形或者正多边形；其中，所述正多边形的边数至少为四条。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||