一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和半导体层，源极和所述漏极不同层设置；半导体层分别与源极和漏极电连接；在半导体层上对应源极和漏极之间的区域为沟道区域。本发明还提供了包括上述薄膜晶体管的阵列基板和显示装置，通过改变构图工艺，使得源极和漏极分别在不同的图层形成，减少薄膜晶体管的沟道长度，一般可以将沟道长度从原来的15um缩短到现在的5um以下，使沟道电阻大幅度减小，缩短沟道距离可以大幅提升薄膜晶体管的充电效率，缩短充电时间，从而提高晶体管的工作效率。由于器件沟道尺寸的缩减，还可以缩小晶体管的面积，有利于实现高集成度的产品。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、源极、漏极和半导体层，所述源极和所述漏极不同层设置；所述半导体层分别与所述源极和所述漏极电连接；在所述半导体层上对应所述源极和所述漏极之间的区域为沟道区域。