| 摘要 |
Es wird ein Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) angegeben aufweisend – eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Hauptfläche (3) und einer der ersten Hauptfläche (3) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (4), wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Zone (5) aufweist, – eine strukturierte im Betrieb elektrisch nicht leitende Spiegelschicht (6), die auf der Seite der ersten Hauptfläche (3) der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, wobei die Spiegelschicht (6) mindestens einen Spiegelbereich (6A, 6B, 6C) aufweist, welcher die erste Hauptfläche (3) bereichsweise bedeckt, – mindestens einen Verkapselungsbereich (7A, 7B, 7C), welcher den mindestens einen Spiegelbereich (6A, 6B, 6C) allseitig umgibt und mit dem Spiegelbereich (6A, 6B, 6C) in direktem Kontakt steht, wobei der mindestens eine Verkapselungsbereich (7A, 7B, 7C) im Betrieb elektrisch nicht leitend ist. |
