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一种感测式半导体封装件之制法，系包括：提供一包含有复数感测晶片之晶圆及一承载板，该晶圆及感测晶片具有相对之主动面及非主动面，该感测晶片之主动面上设有感测区及复数焊垫，另该承载板具有一底板、设于该底板上之复数导电线路、及覆盖该底板及导电线路之绝缘层，以将该晶圆接置于该承载板之绝缘层上；于相邻感测晶片主动面之焊垫间形成复数凹槽，且该凹槽深度系至该导电线路位置；于该凹槽处形成金属层，并使该金属层电性连接至相邻感测晶片之焊垫及该承载板之导电线路；于该晶圆上接置透光体以封盖该感测区；移除该承载板之底板而外露出该导电线路及绝缘层；以及沿各该感测晶片间进行切割，以形成复数感测式半导体封装件。如申请专利范围第1项之感测式半导体封装件之制法，其中，该承载板之制法系包括：提供一金属材质之底板；于该金属底板上形成一阻层，并令该阻层形成有复数外露出该金属底板之开口；于该开口中电镀形成导电线路；移除该除该阻层；以及于该金属底板上形成覆盖该导电线路及金属底板之绝缘层。如申请专利范围第1项之感测式半导体封装件之制法，其中，该绝缘层之材质系为B-stage的环氧树脂(epoxy)及聚亚醯胺(Polyimide)之其中一者。如申请专利范围第1项之感测式半导体封装件之制法，其中，该晶圆系预先进行薄化作业后再置于该承载板上。如申请专利范围第1项之感测式半导体封装件之制法，其中，该凹槽为U形、V形、及Y形之其中一者。如申请专利范围第1项之感测式半导体封装件之制法，其中，该金属层之制法系包括：于该晶圆主动面及凹槽表面形成一导电层；于该导电层上形成一阻层，并令该阻层形成有对应该凹槽处之开口；于该阻层开口中形成金属层，并使该金属层电性连接至相邻感测晶片之焊垫及该承载板导电线路；以及移除该阻层及其所覆盖之导电层。如申请专利范围第6项之感测式半导体封装件之制法，其中，该导电层为金属层，系利用溅镀(sputtering)及蒸镀(vaporizing)之其中一方式形成，且其材质为钛/铜/镍(Ti/Cu/Ni)、钛化钨/金(TiW/Au)、铝/镍化钒/铜(Al/NiV/Cu)、钛/镍化钒/铜(Ti/NiV/Cu)、钛化钨/镍(TiW/Ni)、钛/铜/铜(Ti/Cu/Cu)、钛/铜/铜/镍(Ti/Cu/Cu/Ni)之其中一者。如申请专利范围第1项之感测式半导体封装件之制法，其中，该透光体系透过一黏着层而黏置于该晶圆，该黏着层系对应黏着于该感测晶片周围且覆盖该金属层，惟未覆盖至该感测晶片之感测区，以使该透光体遮盖且封闭该感测晶片之感测区。如申请专利范围第1项之感测式半导体封装件之制法，其中，该承载板之底板移除后，复于该绝缘层上形成一拒焊层，并令该拒焊层形成有外露该导电线路之开口，以供设置导电元件，再沿各该感测晶片间进行切割，以形成复数感测式半导体封装件。如申请专利范围第1项之感测式半导体封装件之制法，其中，该金属层之制法系包括：于该晶圆凹槽中填覆绝缘填充层；于该绝缘填充层中形成开口，以外露出导电线路；于该晶圆主动面及绝缘填充层表面形成一导电层；于该导电层上覆盖一阻层，并使该阻层形成有对应该凹槽处之开口；于该阻层开口中电镀形成金属层，且使该金属层填充至该绝缘填充层开口并电性连接该导电线路与相邻感测晶片主动面之焊垫；以及移除该阻层及其所覆盖之导电层。如申请专利范围第10项之感测式半导体封装件之制法，其中，该绝缘填充层为聚亚醯胺(Polyimide)。如申请专利范围第10项之感测式半导体封装件之制法，其中，该绝缘填充层开口宽度系小于凹槽宽度，以使部分绝缘填充层覆盖该感测晶片侧边。一种感测式半导体封装件，系包括：绝缘层，系具有相对之顶面及底面；导电线路，系设于该绝缘层底面周围；感测晶片，系具有相对之主动面及非主动面，以藉其非主动面而接置于该绝缘层顶面上，且于该主动面上形成有感测区与复数焊垫；金属层，系设于该感测晶片及绝缘层侧边，以电性连接该感测晶片之焊垫及绝缘层底面之导电线路；以及透光体，系透过一黏着层而黏置于该感测晶片周围之主动面上且覆盖该金属层以封盖该感测区，惟未覆盖至该感测晶片之感测区，以使该透光体遮盖且封闭该感测晶片之感测区。如申请专利范围第13项之感测式半导体封装件，其中，该导电线路之表面系与该绝缘层之底面齐平。如申请专利范围第13项之感测式半导体封装件，其中，该绝缘层之材质系为B-stage的环氧树脂(epoxy)及聚亚醯胺(Polyimide)之其中一者。如申请专利范围第13项之感测式半导体封装件，其中，该感测晶片系经薄化。如申请专利范围第13项之感测式半导体封装件，其中，该凹槽为U形、V形、及Y形之其中一者。如申请专利范围第13项之感测式半导体封装件，其中，该金属层与该感测晶片间复包括有一导电层。如申请专利范围第18项之感测式半导体封装件，其中，该导电层为金属层，且其材质为钛/铜/镍(Ti/Cu/Ni)、钛化钨/金(TiW/Au)、铝/镍化钒/铜(Al/NiV/Cu)、钛/镍化钒/铜(Ti/NiV/Cu)、钛化钨/镍(TiW/Ni)、钛/铜/铜(Ti/Cu/Cu)、钛/铜/铜/镍(Ti/Cu/Cu/Ni)之其中一者。如申请专利范围第13项之感测式半导体封装件，其中，该绝缘层上复形成有一拒焊层，该拒焊层形成有外露该导电线路之开口，以供设置导电元件。如申请专利范围第13项之感测式半导体封装件，其中，该金属层与该感测晶片侧边间复包括有一绝缘填充层。如申请专利范围第21项之感测式半导体封装件，其中，该绝缘填充层为聚亚醯胺(Polyimide)。 |
