| 发明名称 | 无衬底结构的功率器件制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开的一种无衬底结构的功率器件制造工艺，由以下步骤组成：(1)制备产品晶圆和衬底晶圆；(2)在产品晶圆上形成一氢离子注入层；(3)在衬底晶圆上形成一层多孔硅氧化层；(4)将氢离子注入层表面贴在多孔硅氧化层表面上；(5)将产品晶圆的氢离子注入层以外的部分从氢离子注入层的层底处剥离掉,然后对剥离面进行抛光处理；(6)在氢离子注入层上加工出功率器件；(7)将衬底晶圆剥离下来形成无衬底结构的功率器件。本发明与现有技术相比的优点在于：(1)两次剥离保证所有的晶圆都不浪费；剥离下来的晶圆还可以重复使用。(2)制备的功率器件真正无衬底，最大限度降低功率器件的导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104078336A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201410312421.8 | 申请日期 | 2014.07.02 |
| 申请人 | 上海朕芯微电子科技有限公司 | 发明人 | 杨凡力 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人 | 吕伴 |
| 主权项 | 一种无衬底结构的功率器件制造工艺，其特征在于，由以下步骤组成：(1)制备产品晶圆和衬底晶圆；(2)在所述产品晶圆的正面注入氢离子形成一氢离子注入层；(3)将所述衬底晶圆的正面进行多孔硅化，然后进行多孔硅氧化形成一层多孔硅氧化层；所述多孔硅氧化层的厚度为1～100um；(4)将产品晶圆的氢离子注入层表面贴在衬底晶圆的多孔硅氧化层表面上；(5)加热将产品晶圆的氢离子注入层以外的部分从氢离子注入层的层底处剥离掉然后对剥离面进行抛光处理；(6)在产品晶圆的氢离子注入层上加工出功率器件；(7)采用化学方法将衬底晶圆从产品晶圆的氢离子注入层表面与衬底晶圆的多孔硅氧化层的结合面处剥离下来形成无衬底结构的功率器件。 | ||
| 地址 | 201407 上海市奉贤区海湾镇场中路198号11幢110室 | ||