发明名称 具有双晶铜线路层之电路板及其制作方法
摘要 本发明系有关于一种具有双晶铜线路层之电路板及其制作方法,其中电路板包括下列步骤:(A)提供一基板,其一表面设有一第一线路层,且第一线路层系包括一电性连接垫;(B)形成一第一介电层于基板之表面上;(C)形成复数开口于第一介电层中,其中每一开口系贯穿第一介电层并对应于电性连接垫以显露电性连接垫;(D)于开口中形成一铜晶种层;(E)以一电镀法于开口中沉积一奈米双晶铜层;以及(F)退火处理基板以转换铜晶种层成奈米双晶铜,且奈米双晶铜层及转换后之铜晶种层系形成一第二线路层,而第二线路层包括复数形成于开口中之第一导电盲孔。
申请公布号 TWI455663 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW101138044 申请日期 2012.10.16
申请人 国立交通大学 新竹市大学路1001号 发明人 陈智;萧翔耀
分类号 H05K1/18;H05K3/32 主分类号 H05K1/18
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 一种具有双晶铜线路层之电路板,包括:一基板,其至少一表面系设有一第一线路层,且该第一线路层系包括一电性连接垫;一第一介电层,系设于该基板及该第一线路层之表面,其中该第一介电层系具有复数开口以显露该电性连接垫;以及一第二线路层,系形成于该第一介电层之一表面,该第二线路层系包括复数第一导电盲孔,每一该第一导电盲孔系对应设于该开口中以电性连接该电性连接垫,且该第二线路层之材料系为一奈米双晶铜;其中,该奈米双晶铜之50%以上的体积包括复数个晶粒,该每一晶粒系由复数个奈米双晶铜沿着[111]晶轴方向堆叠而成,且相邻之该晶粒间之堆叠方向之夹角系0至20度。
地址 新竹市大学路1001号