| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：在衬底中的深沟槽；在深沟槽的侧表面上的侧壁绝缘膜；在侧壁绝缘膜上的层间绝缘膜；以及在层间绝缘膜中的气隙。 | ||
| 申请公布号 | CN104078462A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201410119387.2 | 申请日期 | 2014.03.27 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 李多淳;崔莹石;朴廷珪;李吉浩;郑显泰;郑明安;闵禹植;姜泌洆 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/764(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：在衬底中的深沟槽；在所述深沟槽的侧表面上的侧壁绝缘膜；在所述侧壁绝缘膜上的层间绝缘膜；以及在所述层间绝缘膜中的气隙。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||