金属氧化物膜及其制造方法、薄膜电晶体、显示装置、影像感测器及Ｘ线感测器;METAL OXIDE FILM AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, THIN-FILM TRANSISTOR, DISPLAY DEVICE, IMAGE SENSOR, AND X-RAY SENSOR

摘要

本发明提供一种金属氧化物膜及其制造方法、以及氧化物半导体膜、薄膜电晶体、显示装置、影像感测器及X线感测器。金属氧化物膜于藉由X线光电子光谱分析所得的XPS光谱中,含有于结合能为402 eV以上且405 eV以下的范围内具有峰値位置的成分,且于藉由峰値分离来求出归属于氮的1s电子的峰値能量的强度时,满足式(1):A/(A+B)≧0.39的关系。式(1)中,A表示于结合能为402 eV以上且405 eV以下的范围内具有峰値位置的成分的峰値面积,B表示于结合能为406 eV以上且408 eV以下的范围内具有峰値位置的成分的峰値面积。