用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电位传播电容性结构的终止结构及其制备方法

摘要

本发明系揭露一种沟槽MOSFET的终止结构及其制备方法，用于终止位于带有底部汲极电极的体型半导体层上方的邻近沟槽MOSFET。体型半导体层具有一个近端体型半导体壁，承载汲极-源极电压，并将终止结构与沟槽MOSFET分开。终止结构由一个被近端体型半导体壁和远端体型半导体壁限制的氧化物填充的大型深沟槽构成。氧化物填充的大型深沟槽包括一个在体型半导体层内的大型氧化物深沟槽，以及多个嵌入式电容性结构，嵌入式电容性结构位于大型氧化物深沟槽内，并且分布在近端体型半导体壁和远端体型半导体壁之间，用于在整个空间上播散汲极-源极电压。在一个实施例中，嵌入式电容性结构包括交叉的导电嵌入式多晶半导体区以及氧化物填充的大型深沟槽的氧化物立柱，近端体型半导体壁附近的近端嵌入式多晶半导体区连接到主动上部源极区上，远端体型半导体壁附近的远端嵌入式多晶半导体区连接到远端体型半导体壁上。

主权项

一种带有多个嵌入式播散电位之电容性结构之终止结构，用于终止沿一体型半导体层之顶面分布之一半导体元件主动区，其中该体型半导体层具有一个近端体型半导体壁；该近端体型半导体壁将该终止结构与该半导体元件主动区分开；该终止结构包含一个被该近端体型半导体壁和一个远端体型半导体壁限制之氧化物填充之大型深沟槽构，其中该氧化物填充之大型深沟槽更包含：一个在该体型半导体层内之大型氧化物深沟槽，沟槽尺寸为TCS，沟槽深度为TCD；以及多个嵌入式电容性结构，位于该大型氧化物深沟槽内，并且有序分布在该近端体型半导体壁和该远端体型半导体壁之间，用于在整个空间上播散元件电压；其中，各该嵌入式电容性结构包含一套交叉之导电嵌入式多晶半导体区和设置在该氧化物填充之大型深沟槽内的一氧化物立柱，该交叉之导电嵌入式多晶半导体区之间充满该氧化物立柱；其中，该半导体元件主动区是一个沟槽MOSFET，该沟槽MOSFET具有位于上部之一第一电极和下部之一第二电极之间之一汲极-源极电压，其中该终止结构在水平方向上承载该汲极-源极电压，位于该近端体型半导体壁附近之一近端嵌入式多晶半导体区电连接到顶部电极上。