横向扩散金属氧化物半导体元件

摘要

本发明之横向扩散金属氧化物半导体元件包括一基底、一闸极介电层、一闸极多晶矽层、一源极区、一汲极区、一基体区、一第一汲极接触插塞、一源极多晶矽层、一绝缘层、以及一源极金属层。其中，利用于汲极区上方之闸极介电层上设置源极多晶矽层作为场板，用以提升崩溃电压，并且可以提高汲极与源极间电容。另外，藉由本发明之第一汲极接触插塞，可以有效的减少汲极与源极间导通电阻与横向的延伸长度，进而降低功率的耗损且增加元件的积集度。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体元件，包括：一基底，具有一上表面与一下表面；一闸极介电层，设置于该基底的该上表面上；一闸极多晶矽层，设置于该闸极介电层上；一源极区与一汲极区，均具有一第一导电类型，并分别设置于该闸极多晶矽层之相对两侧之该基底中；一基体区，具有一第二导电类型，包覆该源极区并延伸至该闸极多晶矽层下方之该基底中；一第一汲极接触插塞，设置于该汲极区相对于该源极区之一侧的该基底中，且该第一汲极接触插塞与该汲极区相接触；一源极多晶矽层，设置于该汲极区上方之该闸极介电层上一绝缘层，设置于该基底上并覆盖该闸极多晶矽层、该源极多晶矽层以及该闸极介电层；以及一源极金属层，设置于该绝缘层上。