| 发明名称 | 扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法及太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于能够在将扩散剂组合物涂布于基板后实施热处理时抑制该扩散剂组合物所含的杂质扩散成分从涂布部分飞散到非涂布部分。本发明的扩散剂组合物用于在半导体基板上形成杂质扩散成分。该扩散剂组合物具有-O-Si-O-键和-P(=O)n-键[n为0或1]，所述-O-Si-O-键为下式所示的具有2～3个官能性基团的键。下式中，R分别独立地为有机基团或羟基。<img file="DDA0000482563370000011.GIF" wi="1672" he="534" /> | ||
| 申请公布号 | CN104073157A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201410116893.6 | 申请日期 | 2014.03.26 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社 | 发明人 | 宫城忠 |
| 分类号 | C09D183/04(2006.01)I;C09D183/08(2006.01)I;H01L21/228(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C09D183/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种扩散剂组合物，其用于在半导体基板上形成杂质扩散成分，所述扩散剂组合物具有‑O‑Si‑O‑键和‑P(=O)n‑键，其中，n为0或1，所述‑O‑Si‑O‑键为下式所示的具有2～3个官能性基团的键，<img file="FDA0000482563340000011.GIF" wi="1686" he="545" />式中，R分别独立地为有机基团或羟基。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||