| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de dépôt de diamant nanocristallin, caractérisé en ce qu’il est effectué à une température comprise entre 100 et 500 °C, à une pression comprise entre 0.1 et 1 mbar et en ce qu’il est sur un substrat présentant une surface tridimensionnelle. Un autre aspect de l’invention concerne un équipement pour réaliser ce procédé. |
