发明名称 |
一种用于监测金属层短路的测试结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种用于监测金属层短路的测试结构,至少包括:位于一有源区或一多晶硅层上方且由下而上叠放的第一至第N金属层;每一金属层间、有源区与第一金属层间或多晶硅层与第一金属层间设有层间介质;有源区、多晶硅层及第一至第N金属层都设有由第一、第二梳状结构穿插构成的电容器;其中任意两相邻层构成一个组合;与该组合相邻的层的第一、第二梳状结构与该组合的第二、第一梳状结构垂直投影分别对应重合并由通孔对应连接;或构成该组合的任意一层与其相邻的层构成另一所述组合。该测试结构用来监测当前金属层的接线孔偏移于当前金属层或穿透至其以下金属层造成电容短路的现象,提高产品的良率。 |
申请公布号 |
CN203850292U |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201420250467.7 |
申请日期 |
2014.05.15 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
宋春;陈文磊 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种用于监测金属层短路的测试结构,其特征在于,所述测试结构至少包括:位于一有源区或一多晶硅层上方且由下而上依次叠放的第一至第N金属层;所述N≤7;所述第一至第N金属层之间、所述有源区与第一金属层之间或所述多晶硅层与第一金属层之间填充有设有若干通孔的层间介质;所述有源区、多晶硅层以及第一至第N金属层分别设有由结构相同的第一、第二梳状结构相互穿插构成的梳状电容器;所述第一、第二梳状结构分别由条形状的侧栅和若干平行间隔分布且一端共同连接于所述侧栅一侧的条形状的梳栅组成;所述第一至第N金属层与所述有源区或与所述多晶硅层构成N+1层;所述N+1层中任意两个相邻层构成一个组合;该组合的所述第一、第二梳状结构的垂直投影分别对应重合并且该第一、第二梳状结构的若干梳栅分别由位于层间介质的若干金属通孔对应相互连接;与所述组合相邻的层的所述梳状电容器的第一、第二梳状结构的侧栅与该组合中构成所述梳状电容器的第二、第一梳状结构的侧栅各自在其宽度方向的垂直投影分别对应重合并通过位于层间介质的所述金属通孔分别对应连接;与该组合相邻的层的该梳状电容器的第一、第二梳状结构的梳栅与该组合中构成所述梳状电容器的第二、第一梳状结构的梳栅各自在其宽度方向的垂直投影分别对应重合;或者构成所述组合的任意一层与其相邻的层构成另一所述组合。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |