| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形形成具有不同宽度的多个硬掩模层图形；对衬底注入掺杂剂并退退火，在衬底中形成埋氧层；以硬掩模层图形为掩模，刻蚀衬底底形成不同宽度的多个鳍片；去除硬掩模层图形。依照本发明的的半导体器件制造方法，通过多次沉积/刻蚀不同材料层形成不同同宽度和/或高度的硬掩模，对掩模下方注入氧离子形成埋氧层并并刻蚀衬底，从而简便、高效控制了FinFET中Fin的形貌，并提高高了绝缘隔离效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104064469A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201310095365.2 | 申请日期 | 2013.03.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐兆云;闫江 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成具有不同宽度的多个硬掩模层图形；对衬底注入掺杂剂并退火，在衬底中形成埋氧层；以硬掩模层图形为掩模，刻蚀衬底形成不同宽度的多个鳍片；去除硬掩模层图形。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||