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发明名称
半导体装置
摘要
本发明提供一种半导体装置,其能够降低电晶体特性变化的影响,即使在负载的电压-电流特性改变时也能提供预定的电流,并且即使讯号电流量很小时也可以充分地提高讯号的写速度。在该半导体装置中,电流-电压转换元件和电晶体串联连接;且放大器电路检测当电流流到电流-电压转换元件时施加的电压,并根据该电压设定电晶体的闸极-源极电压。因此,由于该放大器电路具有低输出阻抗,所以即使讯号电流量小时,也可以充分地提高讯号的写速度。
申请公布号
TWI453720
申请公布日期
2014.09.21
申请号
TW095144475
申请日期
2006.11.30
申请人
半导体能源研究所股份有限公司 日本
发明人
木村肇
分类号
G09G3/32
主分类号
G09G3/32
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种半导体装置,包含:一电流-电压转换元件;一电晶体,其中该电晶体的源极端子和汲极端子中的一个电连接到提供有电位的接线,且该电晶体的源极端子和汲极端子中的另一个电连接到该电流-电压转换元件;和一放大器电路,其中该放大器电路的第一输入端子电连接到该电晶体的源极端子和汲极端子中的另一个,该放大器电路的第二输入端子电连接到提供有电位的接线,且该放大器电路的输出端子电连接到该电晶体的闸极端子。
地址
日本
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