发明名称 |
人工抗体型二氧化钛/掺硼金刚石膜电极及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种人工抗体型二氧化钛/掺硼金刚石膜电极及其制备方法,该电极为p-n异质结构,电极以掺硼金刚石(BDD)为基底,BDD表面上均匀密集着纺锤状的TiO<sub>2</sub>粒子,TiO<sub>2</sub>粒子的粒径为50~100nm,TiO<sub>2</sub>粒子密布形成厚度为5~10μm的修饰层,该电极的制备方法为:以掺硼金刚石为基底,在基底表面上低温液相沉积具有目标污染物分子印迹的二氧化钛,再去除目标污染物分子,即获得人工抗体型二氧化钛/掺硼金刚石膜电极。与现有技术相比,本发明制备的电极兼具p-n异质结结构和目标污染物分子识别能力,具有优良的光电催化一体化性能和高的选择性降解能力,该电极制备工艺简单,能有效应用于低浓度难生化高毒性的有机污染物去除,具有广泛的经济和社会效益。 |
申请公布号 |
CN104047019A |
申请公布日期 |
2014.09.17 |
申请号 |
CN201310077139.1 |
申请日期 |
2013.03.11 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
赵国华;金烨飞;柴守宁;王宇晶;张亚男 |
分类号 |
C25B11/04(2006.01)I;C25B11/10(2006.01)I;C02F1/46(2006.01)I |
主分类号 |
C25B11/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海科盛知识产权代理有限公司 31225 |
代理人 |
叶敏华 |
主权项 |
一种人工抗体型二氧化钛/掺硼金刚石膜电极,其特征在于,该电极为p‑n异质结构,所述的电极以掺硼金刚石(BDD)为基底,BDD表面上均匀密集着纺锤状的TiO<sub>2</sub>粒子,TiO<sub>2</sub>粒子的粒径为50~100nm,TiO<sub>2</sub>粒子密布形成厚度为5~101μm的修饰层。 |
地址 |
200092 上海市杨浦区四平路1239号 |