| 发明名称 | 改善的栅极间的外延生长 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种集成电路器件，包括生长在衬底上的至少两个外延生长有源区，有源区置于两个栅极器件之间。该器件还包括位于两个外延生长有源区之间的至少一个伪栅极。每个有源区的长度都大致相同。本发明还公开了改善的栅极间的外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN104051249A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310593960.9 | 申请日期 | 2013.11.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林文杰;曾仁洲;宋明相 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：生长在衬底上的至少两个外延生长有源区，所述外延生长有源区放置于两个栅极器件之间；以及位于两个所述外延生长有源区之间的至少一个伪栅极；其中，每个外延生长有源区的长度都大致相同。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||