| 发明名称 | 磁性材料之间的间隙 | ||
| 摘要 | 本申请公开了磁性材料之间的间隙。根据一个实施例，一种方法可通过如下实施：在磁性材料的主磁极层上沉积材料的非磁性间隙层；在材料的非磁性间隙层上沉积材料的牺牲层；蚀刻所述材料的牺牲层的部分，并不完全去除所述材料的牺牲层；并将其他的牺牲材料沉积到所蚀刻的牺牲层。 | ||
| 申请公布号 | CN104050986A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201410086587.2 | 申请日期 | 2014.03.11 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | 田伟;V·R·印图瑞;D·林;H·殷;邱教明 |
| 分类号 | G11B5/60(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 何焜 |
| 主权项 | 一种在两个磁性材料之间形成均匀间隙的方法，包括：在磁性材料的主磁极层上沉积材料的非磁性间隙层；在所述材料的非磁性间隙层上沉积材料的牺牲层；蚀刻所述材料的牺牲层的部分，并不完全去除所述材料的牺牲层；将其他的牺牲材料沉积到所蚀刻的牺牲层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||