一种非挥发性多次可编程存储器

摘要

本发明公开一种非挥发性多次可编程存储器，该存储器包括：第一存储单元、第二存储单元、差分锁存放大器、第一读操作控制开关和第二读操作控制开关，其中：第一存储单元与第二存储单元构成差分连接，第一存储单元的输出端、第二存储单元的输出端分别与差分锁存放大器的一个输入端相连接，第一读操作控制开关的一端、第二读操作控制开关的一端分别与差分锁存放大器的一个输出端相连接，第一读操作控制开关的另一端、第二读操作控制开关的另一端分别接地；第一存储单元、第二存储单元分别包含一个存储晶体管，存储晶体管为单层多晶硅的浮栅晶体管，通过对浮栅注入电子或从浮栅拉出电子执行对第一存储单元、第二存储单元的编程操作或擦除操作。

主权项

一种非挥发性多次可编程存储器，其特征在于，包括：第一存储单元、第二存储单元、差分锁存放大器、第一读操作控制开关和第二读操作控制开关，其中：所述第一存储单元与所述第二存储单元构成差分连接，所述第一存储单元的输出端、所述第二存储单元的输出端分别与所述差分锁存放大器的一个输入端相连接，所述第一读操作控制开关的一端、所述第二读操作控制开关的一端分别与所述差分锁存放大器的一个输出端相连接，所述第一读操作控制开关的另一端、所述第二读操作控制开关的另一端分别接地；所述第一存储单元、所述第二存储单元分别包含一个存储晶体管，所述存储晶体管为单层多晶硅的浮栅晶体管，通过对浮栅注入电子或从浮栅拉出电子执行对所述第一存储单元、所述第二存储单元的编程操作或擦除操作。