自氧化纳米多孔镍钴锰/羟基氧化物复合三元电极

摘要

自氧化纳米多孔镍钴锰/羟基氧化物复合三元电极，所述的三元复合电极的制备方法包括如下步骤：(1)合金制备，制备镍钴锰合金，所述合金被加工成厚度在20～100_μm的合金条带或合金板；(2)去合金化制备纳米多孔金属，将步骤(1)制备的得到的合金采用去合金化方法制备纳米多孔金属(3)自氧化法制备三元复合电极，以步骤(2)制得的纳米多孔金属作为阳极，在碱金属氢氧化物溶液中进行电化学氧化，使纳米金属表面产生掺杂羟基的氧化层。

主权项

一种自氧化纳米多孔镍钴锰/羟基氧化物三元复合电极，其特征在于所述的三元复合电极制备方法包括如下步骤： (1)合金制备，制备镍钴锰合金，所述合金，锰的物质的量百分比为60‑75％，镍的物质的量百分比为5％‑25％，余量为钴；所述合金被加工成厚度在20～100μm的合金条带或合金板；(2)去合金化制备纳米多孔金属，将步骤(1)制备的得到的合金采用去合金化方法制备纳米多孔金属，所述的纳米多孔金属的孔径分布为1‑20nm，比表面积为30‑100m²/g；所述纳米多孔金属中，锰的物质的量百分比为10‑30％； (3)自氧化法制备三元复合电极，以步骤(2)制得的纳米多孔金属作为阳极，在碱金属氢氧化物溶液中进行电化学氧化，使纳米金属表面产生掺杂羟基的氧化层，氧化电位在1v以下，通过控制氧化时间和氧化电位来控制掺杂羟基的氧化层厚度及结构。