| 摘要 |
本发明的一个方式的目的是提供缺陷密度低的氧化物半导体层。或者,本发明的一个方式的目的是提供具有缺陷密度低的氧化物半导体层的半导体装置。本发明的一个方式是一种包含铟、镓和锌的氧化物半导体层的处理方法,其中氧化物半导体层具有接近于第一铟并俘获第一氢的第一氧缺陷以及接近于第二铟并俘获第二氢的第二氧缺陷,氧化物半导体层包含多个过剩氧,藉由使多个过剩氧中之一与被第一氧缺陷俘获的第一氢键合,而使该第一氢成为羟基,藉由使羟基与被第二氧缺陷俘获的第二氢键合,而使第二氢脱离作为水,然后第一氧缺陷俘获多个过剩氧中之一,第二氧缺陷俘获多个过剩氧中之一。 |
