用于选择性移除钨之乾蚀刻;DRY-ETCH FOR SELECTIVE TUNGSTEN REMOVAL

摘要

本发明描述相对于含矽薄膜(例如,氧化矽、氮碳化矽及多晶矽)及氧化钨而选择性蚀刻钨的方法。该等方法包括由含氟前驱物及/或氢气(H2)形成远端电浆蚀刻。使来自远端电浆的电浆流出物流入基板处理区中,且在该基板处理区中,电浆流出物与钨进行反应。电浆流出物与暴露的表面反应并选择性地移除钨,同时该等电浆流出物极缓慢地移除其他的暴露材料。且包括可于后续或同时进行的方法以移除例如可能因暴露在大气中所生成的薄氧化钨层。