发明名称 半导体积体电路
摘要 若根据其一实施形态,则半导体积体电路系具备1条以上的电源带配线,其系配置于第1配线层,且延伸于第1方向。又,前述电路系具备1条以上的辅助电源带配线,其系配置于比前述第1配线层更下位的第2配线层,且延伸于前述第1方向。又,前述电路系复数条的中间电源配线,其系配置于前述第1配线层与前述第2配线层之间的第3配线层之复数条的中间电源配线,前述中间电源配线系分别电性连接前述电源带配线的其中任一条与前述辅助电源带配线的其中任一条。又,前述电路系具备复数条的电源轨配线,其系配置于比前述第2配线层更下位的第4配线层,且延伸于与前述第1方向垂直的第2方向,与前述辅助电源带配线电性连接。又,前述电路系具备复数条的上位电源带配线,其系配置于比前述第1配线层更上位的第5配线层,且延伸于前述第2方向,与前述电源带配线电性连接。又,前述中间电源配线间的前述第1方向的周期系比前述电源轨配线间的前述第1方向的周期更宽,且比前述上位电源带配线间的前述第1方向的周期更窄。
申请公布号 TW201436174 申请公布日期 2014.09.16
申请号 TW102130260 申请日期 2013.08.23
申请人 东芝股份有限公司 发明人 内海哲章
分类号 H01L27/105(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L27/105(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本