晶圆结构以及应用其的功率元件

摘要

依据本发明的一种晶圆结构以及应用其的功率元件,其中晶圆结构包括高浓度掺杂的第一掺杂层以及依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层;其中,所述第三掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂层的掺杂浓度。在功率元件中,MOSFET元件在第三掺杂层上形成的有源区由于体区之间的磊晶部分为高浓度掺杂,在对元件的击穿电压没有影响的情况下,能够大大降低导通电阻;在IGBT元件的有源区中,体区之间的高浓度磊晶层利于调整发射极侧电洞密度形成高电洞浓度阻挡层,从而降低元件的饱和压降参数。