发明名称 |
半导体元件、其制造方法及组装该半导体元件之组装构造体 |
摘要 |
本发明提供一种在机械性信赖性及电性信赖性两方面均优异的半导体元件及该半导体元件之组装构造体。该半导体元件包含有:基板;设于基板上之导电层;设于导电层上且具有开口部之保护层;在开口部中接合于导电层之障壁金属层;及形成于障壁金属层上之导电性凸块,又,障壁金属层含有磷,且含有磷含有率大于其他部分的富磷部位,富磷部位位于导电性凸块侧之表面部,且导电性凸块的形成领域之周缘部的厚度大于形成领域之部的厚度。 |
申请公布号 |
TWI452638 |
申请公布日期 |
2014.09.11 |
申请号 |
TW097133726 |
申请日期 |
2008.09.03 |
申请人 |
京赛拉股份有限公司 日本 |
发明人 |
加藤谦一;下赤善男 |
分类号 |
H01L21/60 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
一种半导体元件,包含有:基板;导电层,系设于前述基板上者;保护层,系设于前述导电层上且具有开口部者;障壁金属层,系在前述开口部中接合于前述导电层者;及导电性凸块,系形成于前述障壁金属层上者,又,前述障壁金属层含有磷,且包含前述磷含有率大于其他部分的富磷部位,前述富磷部位位于前述导电性凸块侧之表面部,且前述导电性凸块的形成领域之周缘部中的前述富磷部位的厚度大于前述形成领域之中央部中的前述富磷部位的厚度。 |
地址 |
日本 |