薄膜晶体管、有源矩阵基板和摄像装置

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管，其包括：源电极和漏电极；接触所述源电极和漏电极并含有氧化物半导体的有源层；控制在所述源电极和漏电极之间经由所述有源层流动的电流的栅电极；将所述栅电极与所述源电极和漏电极和所述有源层分隔开的第一绝缘膜；偏压电极，其设置在所述有源层对着所述栅电极的相反侧并具有独立于所述栅电极而固定的电位；和将所述偏压电极与所述源电极和漏电极和所述有源层分隔开的第二绝缘膜。

主权项

薄膜晶体管，其包含：源电极和漏电极，接触所述源电极和漏电极并含有氧化物半导体的有源层，控制在所述源电极和漏电极之间经由所述有源层流动的电流的栅电极，将所述栅电极与所述源电极和漏电极和所述有源层分隔开的第一绝缘膜，偏压电极，其设置在所述有源层对着所述栅电极的相反侧并具有独立于所述栅电极而固定的电位，和将所述偏压电极与所述源电极和漏电极和所述有源层分隔开的第二绝缘膜，其中所述第二绝缘膜是非晶氧化镓膜，并且其中所述第二绝缘膜具有接触孔，所述接触孔的侧壁具有30°到80°范围内的倾斜角，并且其中所述有源层包括含有In、Ga和Zn中至少一种的氧化物。